Descrição

TRANSISTOR 5N50 MOSFET - ISOLADO

Imagem Meramente Ilustrativa

Preco Unitário

Características

Transistor 5N50 Mosfet - Isolado
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDSS): 500V
Corrente Contínua de Dreno (ID): 5A (em temperatura ambiente de 25°C)
Corrente de Dreno Pulsada (IDM): ≈ 20A (pico máximo de curta duração)
Resistência em Condução (RDSon): ≈ 1.4Ω a 1.5Ω (máxima com (VGS) = 10V
Tensão de Limiar do Gate (VGSth): 3.0V a 5.0V (tensão para começar a conduzir)
Carga de Gate Total (Qg): ≈ 1 nCz
Aplicações: Fontes chaveadas (SMPS) de TVs e monitores.Carregadores de bateria e adaptadores AC/DC.Reatores eletrônicos de iluminação.Circuitos de correção de fator de potência