Descrição

TRANSISTOR igbt - NCE 80T65

Imagem Meramente Ilustrativa

Preco Unitário

Características

Transistor IGBT - NCE 80T65
Tensão Máxima Coletor-Emissor (VCES): 650V
Corrente Contínua de Coletor (IC): 80A (medida a uma temperatura de cápsula (TC = 100ºC)
Corrente de Coletor Pulsada (ICpuls): 320ª
Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCEsat): Típica de 1.7V
Tecnologia interna: Trench FS II (Field Stop de 2ª Geração), que oferece perdas muito baixas por condução e chaveamento rápido
Encapsulamento: TO-247 (fácil de fixar em dissipadores de calor devido ao seu tamanho)
Potência de Dissipação Máxima (PD): Até 416W a 25°C