Descrição

TRANSISTOR MOSFET IRFB 5620

Imagem Meramente Ilustrativa

Preco Unitário

Características

Transistor Mosfet IRFB 5620
Polaridade: Canal N
Encapsulamento: TO-220AB
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDS): 200V
Corrente Contínua de Dreno (ID): 25A (a 25°C)
Resistência em Condução (RDSon): Média de 60 mΩ e máxima de 72.5 mΩ com VGS = 10V
Potência Dissipada Máxima (PD): 144W
Carga de Gate Total (Qg): 25nC (típica), o que garante chaveamento rápido
Temperatura de Operação (TJ): -55°C até +175°C