Descrição

TRANSISTOR MOSFET SCE 20N60 TO-3P

Imagem Meramente Ilustrativa

Preco Unitário

Características

Transistor Mosfet - SCE 20N60 TO-3P
Canal N
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDSS): 600V a 650V (suporta picos altos da rede elétrica)
Corrente Contínua de Dreno (ID): 20A (capacidade de condução contínua a 25°C)
Corrente de Pulso (IDM): 80A (limite máximo para picos rápidos de corrente)
Resistência em Condução (RDSon): ~0.38Ω (baixa resistência, reduzindo a perda de energia)
Carga de Gate Total (Qg): ~75nC