Descrição

TRANSISTOR MOSFET - SCEF 8N60 - ISOLADO

Imagem Meramente Ilustrativa

Preco Unitário

Características

Transistor Mosfet SCEF 8N60 - Isolado
Tipo: Canal N
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDSS): 600V
Corrente Contínua de Dreno (ID): 7,5A a 8A (dependendo da temperatura de operação)
Resistência em Estado Condução (RDSon): Máxima de 1,2 Ω
Tensão Máxima Gate-Fonte (VGS): ±30V
Dissipação de Potência Máxima (PD): Até 147W